恒定磁场
恒定电流
I = d q d t I=\frac{dq}{dt} I=dtdq
电 流 强 度 j = d I d S 电流强度 j=\frac{dI}{dS} 电流强度j=dSdI
电 流 的 连 续 性 方 程 ∫ j ⋅ d S − d q d t 电流的连续性方程 \int{j·dS}-\frac{dq}{dt} 电流的连续性方程∫j⋅dS−dtdq
场源与磁场
毕 奥 萨 伐 尔 定 律 d B = u 0 4 π I d s i n θ r 2 毕奥萨伐尔定律 dB=\frac{u_0}{4\pi}\frac{Idsin\theta}{r^2} 毕奥萨伐尔定律dB=4πu0r2Idsinθ
真 空 磁 导 率 u 0 = 4 π × 1 0 − 7 真空磁导率 u_0=4\pi\times10^{-7} 真空磁导率u0=4π×10−7
一些常见电流的磁感应强度分布
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平 面 载 流 圈 的 磁 矩 p m = N I S n 平面载流圈的磁矩 p_m=NISn 平面载流圈的磁矩pm=NISn
磁场的高斯定理
磁通量
d Φ m = B ⋅ d S d\Phi_m=B·dS dΦm=B⋅dS
Φ m = ∫ B ⋅ d S \Phi_m=\int{B·dS} Φm=∫B⋅dS
磁场的高斯定理
∫ B ⋅ d S = 0 \int{B·dS}=0 ∫B⋅dS=0
静电场是有场源,其场源是自然界可以单独存在的电荷。而磁场是一个无源场,即自然界迄今为止没有发现单独存在的磁极
安培环路定理
∫ B ⋅ d l = u 0 Σ I i \int{B·dl}=u_0\Sigma{I_i} ∫B⋅dl=u0ΣIi
在 恒 定 磁 场 中 , 磁 感 应 强 度 B 沿 任 一 闭 合 路 径 的 线 积 分 , 等 于 穿 过 该 环 路 的 所 有 电 路 的 代 数 和 的 u 0 倍 在恒定磁场中,磁感应强度B沿任一闭合路径的线积分,等于穿过该环路的所有电路的代数和的{u_0}倍 在恒定磁场中,磁感应强度B沿任一闭合路径的线积分,等于穿过该环路的所有电路的代数和的u0倍
带电粒子在磁场中的运动
洛伦兹力
F = q v × B F=qv\times B F=qv×B
1、洛伦兹力的方向与q的正负相关
2、洛伦兹力的方向始终与带电粒子的运动方向垂直,所以洛伦兹力不做功
带电粒子在磁场中的运动
R = m v 0 q B R=\frac{mv_0}{qB} R=qBmv0
T = 2 π R v 0 = 2 π m q B T=\frac{2{\pi}R}{v_0}=\frac{2{\pi}m}{qB} T=v02πR=qB2πm
霍尔效应
U A A ‘ = K I B d U_{AA`}=K\frac{IB}{d} UAA‘=KdIB
d 为 霍 尔 元 件 的 厚 度 , K 为 霍 尔 系 数 d为霍尔元件的厚度,K为霍尔系数 d为霍尔元件的厚度,K为霍尔系数
磁场对载流导线的作用
安培力
d F = I d l × B dF=Idl{\times}B dF=Idl×B
磁场对载流线圈的作用
M = I S n × B M=ISn{\times}B M=ISn×B
p m = N I S n p_m=NISn pm=NISn
M = p m × B M=p_m{\times}B M=pm×B
磁力的功
1、磁场对载流导线的功
A = B I Δ S = I Δ Φ m A=BI{\Delta}S=I{\Delta}{\Phi_m} A=BIΔS=IΔΦm
当 载 流 导 线 在 磁 场 中 运 动 的 时 候 , 如 果 电 流 保 持 不 变 , 磁 场 力 所 做 的 功 等 于 电 流 强 度 乘 以 穿 过 回 路 磁 通 量 的 增 量 当载流导线在磁场中运动的时候,如果电流保持不变,磁场力所做的功等于电流强度乘以穿过回路磁通量的增量 当载流导线在磁场中运动的时候,如果电流保持不变,磁场力所做的功等于电流强度乘以穿过回路磁通量的增量
磁场中的磁介质
1)顺磁质 u r > 1 u_r>1 ur>1
2)抗磁质 u r < 1 u_r<1 ur<1
3)铁磁质 u r > > 1 u_r>>1 ur>>1
磁化状态的描述—磁化强度
1.磁化强度
M = Σ p m Δ V M=\frac{\Sigma{p_m}}{{\Delta}V} M=ΔVΣpm
磁 介 质 内 某 点 附 近 单 位 体 积 内 分 子 磁 矩 的 矢 量 和 为 该 点 的 磁 化 强 度 磁介质内某点附近单位体积内分子磁矩的矢量和为该点的磁化强度 磁介质内某点附近单位体积内分子磁矩的矢量和为该点的磁化强度
2.磁化电流与磁化强度的关系
∫ M ⋅ d l = ∑ I m \int{M·dl}=\sum{I_m} ∫M⋅dl=∑Im
磁 化 强 度 M 沿 任 意 闭 合 回 路 L 的 线 积 分 , 等 于 该 回 路 L 所 包 围 的 磁 化 电 流 的 代 数 和 磁化强度M沿任意闭合回路L的线积分,等于该回路L所包围的磁化电流的代数和 磁化强度M沿任意闭合回路L的线积分,等于该回路L所包围的磁化电流的代数和
有磁介质时的磁场高斯定理和安培环路定理
1、有磁介质存在的恒定磁场
B = B 0 + B ‘ B=B_0+B` B=B0+B‘
2、有磁介质时的磁场高斯定理
∫ B ⋅ d S = 0 \int{B·dS}=0 ∫B⋅dS=0
3、有磁介质时的安培环路定理
∫ B ⋅ d l = u 0 ∑ ( I c + I m ) \int{B·dl}=u_0{\sum}(I_c+I_m) ∫B⋅dl=u0∑(Ic+Im)
∫ ( B u 0 − M ) ⋅ d l = ∑ I c \int{(\frac{B}{u_0}-M)·dl}=\sum{I_c} ∫(u0B−M)⋅dl=∑Ic
磁场强度 H = B u 0 − M H=\frac{B}{u_0}-M H=u0B−M
磁 场 强 度 H 沿 任 意 闭 合 路 径 L 的 线 积 分 等 于 该 回 路 所 包 围 的 传 导 电 流 I c 的 代 数 和 , 这 就 是 有 磁 介 质 的 安 培 环 路 定 理 磁场强度H沿任意闭合路径L的线积分等于该回路所包围的传导电流I_c的代数和,这就是有磁介质的安培环路定理 磁场强度H沿任意闭合路径L的线积分等于该回路所包围的传导电流Ic的代数和,这就是有磁介质的安培环路定理
∫ H ⋅ d l = Σ I c \int{H·dl}=\Sigma{I_c} ∫H⋅dl=ΣIc
对 于 各 向 同 性 的 顺 磁 质 和 抗 磁 质 , 磁 介 质 中 任 一 点 的 磁 化 强 度 M 与 磁 场 强 度 H 成 正 比 , 即 : 对于各向同性的顺磁质和抗磁质,磁介质中任一点的磁化强度M与磁场强度H成正比,即: 对于各向同性的顺磁质和抗磁质,磁介质中任一点的磁化强度M与磁场强度H成正比,即:
M = χ m H M={\chi_m}H M=χmH
B = μ 0 μ r H = μ H B=\mu_0\mu_rH={\mu}H B=μ0μrH=μH